Entwicklung von hochfunktionalen Speichern auf Basis von Verbindungshalbleitern
Der Markt für Halbleiterspeicher wird heutzutage von zwei Arten dominiert. In den Arbeitsspeichern sämtlicher Computer kommt der schnelle, aber seine Information in wenigen Millisekunden verlierende sogenannte "flüchtige" DRAM (Dynamic Random Access Memory) zum Einsatz. In mobilen Anwendungen (USB‐Sticks, MP3‐Playern, Tablet‐PCs) hingegen, wo ein permanentes Speichern von Informationen benötigt wird, wird der Flashspeicher verwendet, der Informationen über lange Zeit (Speicherzeit über 10 Jahre) auch ohne Spannungsversorgung speichern kann. Die Konstruktionsweise dieser beiden Speicherarten ist grundsätzlich verschieden. Das macht den einen schnell, aber flüchtig, den anderen nicht‐flüchtig, aber langsam.
An der TU Berlin konnte gezeigt werden, dass langes Speichern und gleichzeitig schnelles Schreiben zukünftig auf der Basis von sogenannten "selbstorganisierten Quantenpunkten" möglich sein wird, das sind nanometergroße (Milliardstel Meter) Einschlüsse eines Halbleitermaterials in einem anderen Halbleitermaterial. Diese haben zusätzlich den Vorteil, dass dadurch auch die Energieeffizienz von Halbleiterspeichern deutlich gesteigert wird. Im Rahmen des Projektes HOFUS sollen nunmehr die technische Machbarkeit und das wirtschaftliche Potential dieses neuartigen quantenpunkt‐basierten Speicherkonzeptes nachgewiesen werden.
Nach einer anschließenden Verbundforschung soll die wirtschaftliche Verwertung entweder über einen Lizenzverkauf oder ein Spin-Off erfolgen.